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驱动器MOS保护块

螺纹启动器

Alejofnb.

2019年12月24日加入
20.
事情是我正在制作一个BLDC,我正在使用一个半桥配置,其中驱动器输出最初与低值电阻连接到半驱动器的MOS门。Spice似乎电阻必须大约为50欧姆,因此它不会在驱动器输出处产生电流峰值高于数据表捕获(输出电流值IO +,IO-)并损坏它,但我这样做不知道该电阻是否真的是必要的,因为我没有看到驱动程序是否真的具有该保护块,这些保护块将允许我拆下电阻并直接连接驱动器输出到MOS门。也就是说,我不知道驱动程序输出中最大可允许电流是否带有数据表的值,如果我们超过此当前的值,或者如果有一个保护块,则驱动程序IC会刻录驱动器IC。因此,即,我可以摆脱电阻。谢谢!

1620425545307.png.

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Papabravo

Papabravo

加入2006年2月24日
15714年
我认为电阻器的目的是避免由于跟踪电感因栅电极的固有电容而引起的振铃。栅极电阻对漏极电流没有太大影响。这是VGS(TH)和VG之间的差异的函数。栅极电压越高,RDS(开启)越低,漏极电流越大。我并不肯定你是由保护块的意思。没有直流电流谈论会导致问题。可能导致问题的可能性是与线性区域中的MOSFET和所得热堆积的MOSFET花费过多的时间。

螺纹启动器

Alejofnb.

2019年12月24日加入
20.
我认为电阻器的目的是避免由于跟踪电感因栅电极的固有电容而引起的振铃。栅极电阻对漏极电流没有太大影响。这是VGS(TH)和VG之间的差异的函数。栅极电压越高,RDS(开启)越低,漏极电流越大。我并不肯定你是由保护块的意思。没有直流电流谈论会导致问题。可能导致问题的可能性是与线性区域中的MOSFET和所得热堆积的MOSFET花费过多的时间。
我指的什么门的重要性电阻器的司机是我有模拟电路,由于门口电阻器在几个价值观和我获得的模拟峰值电流是在城门口欣赏的金属氧化物半导体,因此,在驱动程序的输出,根据Rgate的值,100-330 mA的数量级。但然后我有一些数据从驱动数据表(Io+, Io-),表明最小电流峰值120毫安和最大200毫安,例如。我的问题是,如果没有保护元件的驱动程序(我没有看到,我想知道如果有人能告诉我),我知道最优电阻将会在50到60欧姆接近最低120毫安电流驱动输出根据数据表,但在多大程度上这种阻力是必要的吗?驱动器有一个保护的峰值电流,使它有可能摆脱这个栅极电阻?谢谢你!

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Papabravo

Papabravo

加入2006年2月24日
15714年
你不是只见树木不见森林。请再看一下数据表,然后告诉我所有提到的条件。不只是峰值电流,还包括电压和时间的任何条件。

然后注意你要求MOSFET做些什么。与栅极电阻结合的米勒电容正在在延迟开启的栅极电流中产生高原。这正是栅极驱动器设计为避免的。栅极驱动器内的任何保护装置都会做更多的事情。另请注意,在所有情况下,当前衰减在非常短的时间范围内,因为这不是DC电流。

查看芯片的框图(功能框图,第4页),唯一的保护是内部使用的MOSFET的RDS(ON),以构造不会数量的输出阶段。有趣的是在图22-29中,存在作为具有栅极电阻和VDD作为参数的频率的函数的曲线(各种MOSFET ??)的曲线。这表明预期了一些栅极电阻,但似乎限制在10Ω到33Ω的值。这比你的模拟表明并确认当试图以高频率切换时,可以处理相当大的功率损耗。我认为这是与交流栅极电流相反的更大问题。你怎么看?

另请注意,您使用的是使用理想的电压源,没有寄生元件用于驱动栅极。这将产生在实践中无法获得的结果。您需要更好的门驱动程序模型来制作现实的替补图片。尝试使用电流源驱动它,从而观察数据表中提到的脉冲宽度限制。不要忘记跟踪电感。
上次编辑:

螺纹启动器

Alejofnb.

2019年12月24日加入
20.
你不是只见树木不见森林。请再看一下数据表,然后告诉我所有提到的条件。不只是峰值电流,还包括电压和时间的任何条件。

然后注意你要求MOSFET做些什么。与栅极电阻结合的米勒电容正在在延迟开启的栅极电流中产生高原。这正是栅极驱动器设计为避免的。栅极驱动器内的任何保护装置都会做更多的事情。另请注意,在所有情况下,当前衰减在非常短的时间范围内,因为这不是DC电流。

查看芯片的框图(功能框图,第4页),唯一的保护是内部使用的MOSFET的RDS(ON),以构造不会数量的输出阶段。有趣的是在图22-29中,存在作为具有栅极电阻和VDD作为参数的频率的函数的曲线(各种MOSFET ??)的曲线。这表明预期了一些栅极电阻,但似乎限制在10Ω到33Ω的值。这比你的模拟表明并确认当试图以高频率切换时,可以处理相当大的功率损耗。我认为这是与交流栅极电流相反的更大问题。你怎么看?

另请注意,您使用的是使用理想的电压源,没有寄生元件用于驱动栅极。这将产生在实践中无法获得的结果。您需要更好的门驱动程序模型来制作现实的替补图片。尝试使用电流源驱动它,从而观察数据表中提到的脉冲宽度限制。不要忘记跟踪电感。
对,感谢您的信息。看到我可能有问题的地方非常有帮助,我想我正在考虑错了,我会用我使用的驱动程序模型来重新考虑它,看看我得到了什么。